IRF8721GPBF_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET的連續(xù)漏極電流為15A，最大漏源電壓為30V，導(dǎo)通電阻低至7.5mΩ。其低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率。適用于開(kāi)關(guān)電源、電池供電設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及負(fù)載切換等應(yīng)用場(chǎng)景。器件在常規(guī)柵極驅(qū)動(dòng)電壓下即可實(shí)現(xiàn)良好導(dǎo)通特性，同時(shí)具備較快的開(kāi)關(guān)響應(yīng)能力，適合對(duì)體積和能效有較高要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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