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GSF3404_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:ID:5.8A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:22mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢

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該N溝道場效應管(MOSFET)具有30V的漏源擊穿電壓(VDSS)和5.8A的連續漏極電流(ID),在導通狀態下其導通電阻(RDS(ON))典型值為22毫歐。器件采用標準封裝結構,適用于對效率和熱性能有一定要求的電源管理、負載開關及電池供電類應用場合。其低導通電阻有助于減少導通損耗,提升系統整體能效,同時穩定的電氣特性可保障在多種工作條件下的可靠運行。

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