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TI

MOSFET


TO-220-3

1Channel

N-Channel

-55℃


+175

Qg-柵極電荷

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻

Id-連續(xù)

Vds-漏源極擊穿電壓

Vgs-柵極-源極電壓

Vgs th-柵源極閾值電壓

Pd-功

下降時間

76nC

3.1mOhms

100A

80V

-20V,+20V

2.6V

300W

6ns


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  • 深圳市尚想信息技術(shù)有限公司
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