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聯(lián)發(fā)科與美國普渡大學合作成立半導體芯片設計中心

2022-06-29 來源:網絡整理
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關鍵詞: 聯(lián)發(fā)科 半導體

聯(lián)發(fā)科今(29)日宣布與美國普渡大學合作,在印第安納州西拉法葉成立半導體芯片設計中心,并初步計劃朝芯片設計學位課程、下一代計算和通信芯片設計等方向展開先進前瞻技術的研究合作。

據臺媒《經濟日報》報道,聯(lián)發(fā)科已經與全球及美國頂尖大學合作發(fā)展先進研究近20年,而本次與普渡大學的合作又是另一突破。新的半導體設計中心直接設立在校園內,讓該校學生有機會看到自己的創(chuàng)新研究融入一個全球IC設計公司的產品設計或解決方案的一環(huán)。此次合作也將為印第安納州吸引高階半導體設計人才。

聯(lián)發(fā)科資深副總經理陸國宏博士表示,聯(lián)發(fā)科致力創(chuàng)新發(fā)展,長期與全球頂尖大學、研究機構及一流學者人才交流合作,借由本次聯(lián)手我們將接觸到頂尖的工程研究人才,培植未來半導體設計領域的新血,強化聯(lián)發(fā)科在尖端科技產業(yè)的技術能量。半導體產業(yè)正經歷巨大的成長,我們需要最優(yōu)秀的人才持續(xù)創(chuàng)新突破,本次合作是聯(lián)發(fā)科擴展在美運營發(fā)展的關鍵策略之一。