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美國最新一輪半導體出口管制要點和細節(jié)

2022-10-09 來源:華強微電子
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關鍵詞: 半導體 出口管制 細節(jié)

今天,據(jù)此前財聯(lián)社消息,美國SWB工業(yè)和安全局(BIS)以所謂的維護GJ安全為由,把針對中國芯片產(chǎn)業(yè)的無理打壓再度升級,具體涉及9條新規(guī)定,包括將某些先進、高性能的計算機芯片和含有此類芯片的計算機商品添加到商業(yè)管制清單、對最終用途在中國的超級計算機或半導體開發(fā)及生產(chǎn)應用項目增加新的許可證要求、將某些半導體制造設備和相關項目添加到商業(yè)管制清單、對在中國的16納米以下非平面晶體管結構邏輯芯片或128層以上NAND閃存芯片等先進芯片生產(chǎn)設施增加新的許可證要求等。



來源:網(wǎng)絡


事實上,在此之前,美國ZF曾多次出臺芯片領域相關禁令與法案,包括《芯片與科學法案》以及限制相關公司向中國出口高性能GPU等。不過,此次出口管制限制范圍更為廣泛,影響或許也將更大。


公開資料顯示,相關規(guī)則如下:


1.將某些先進和高性能計算芯片及含有此類芯片的計算機商品加入《商業(yè)管制清單》(CCL);


2.對中國超級計算機或半導體開發(fā)或生產(chǎn)最終用途的項目增加新的許可證要求;


3.將《出口管理條例》(EAR)的適用范圍擴大到某些外國生產(chǎn)的先進計算機產(chǎn)品和外國生產(chǎn)的超級計算機終端用途產(chǎn)品;


4.將需要許可證的美國以外國家的生產(chǎn)項目的范圍,擴大到位于中國境內(nèi)的28家現(xiàn)有實體;


5.將某些半導體制造設備和相關項目添加到CCL;


6.對在中國制造的符合規(guī)定的半導體制造工廠的設備增加新的許可證要求。中國公司擁有的設施許可證將面臨“推定拒絕”,公司擁有的設施將根據(jù)具體情況做出決定,具體涉及范疇:具有16nm或14nm以下制程的非平面晶體管結構(FinFET或GAAFET)的邏輯芯片;半間距不超過18nm的DRAM存儲芯片;128層或更多層的NAND閃存芯片;


7.限制美國實體在沒有許可證的情況下,支持中國境內(nèi)某些半導體工廠制造、開發(fā)或進行生產(chǎn);


8.對開發(fā)或生產(chǎn)半導體制造設備及相關項目的出口項目增加新的許可證要求;


9.建立臨時通用許可證(TGL),通過允許特定的、有限的生產(chǎn)活動,將對半導體供應鏈的短期影響降至最低。



據(jù)悉,上述半導體制造項目限制自10月7日起生效,美國人在支持基于中國本土半導體制造“設施”開發(fā)、生產(chǎn)或應用集成電路的能力方面的限制將在10月12日生效,先進計算和超級計算機控制以及規(guī)則中的其他更新將在10月21日生效。


更新的出口管制將從多個方面針對中國企業(yè),包括限制美國企業(yè)向中國出口關鍵芯片制造工具,以及限制美國公民和企業(yè)向中國的半導體制造廠提供任何形式的直接或間接支持。