據(jù)BusinessKorea報(bào)道，推特爆料人Revegnus 4月17日表示，三星的4納米制程良率目前已非常接近臺(tái)積電。

Revegnus表示，三星的良率恢復(fù)速度快于預(yù)期，而臺(tái)積電的3納米制程良率目前為63%或更低。

三星有望在其4納米工藝中取得可觀的良率提升，據(jù)許多業(yè)內(nèi)消息人士透露，三星很可能已將其4納米工藝的良率從大約60%提高到至少70%，而臺(tái)積電的良率估計(jì)在80%左右。

在3月上旬，有消息稱高通將發(fā)布的驍龍7+ （Snapdragon 7+ Gen 1）處理器將采用臺(tái)積電的4納米制程，這證明臺(tái)積電比三星的4納米制程更高效。三星在過去幾年面臨著效率和良率不好的問題，高通或許正慢慢地將訂單從三星代工廠轉(zhuǎn)移到臺(tái)積電。

高通曾表示，未來3、4納米AP芯片將由臺(tái)積電代工，不過進(jìn)入GAA制程后，有可能采取同步下單三星、臺(tái)積電等多家代工廠的多供應(yīng)商策略。

此外有報(bào)道稱盡管三星在4納米和5納米存在問題，但據(jù)報(bào)道其3納米 GAA要好得多。甚至有傳言稱它比臺(tái)積電的3納米更好，一些謠言還聲稱Snapdragon 8 Gen 3將使用三星的3納米 GAA，但媒體也稱，應(yīng)該對(duì)這種說法持懷疑態(tài)度。