拆解華為Mate60后,外媒:中國(guó)芯片技術(shù),只落后臺(tái)積電5年了
眾所周知,最近華為Mate60手機(jī),真的是一枚深水炸彈,炸出了很大的一片浪花。
特別是這款手機(jī)使用的芯片,更是激起了全民大討論,雖然華為沒(méi)有公布工藝,代工廠,內(nèi)核等,但國(guó)內(nèi)外媒體已經(jīng)是將其翻了個(gè)底朝天。
特別是Techinsight,更是對(duì)芯片進(jìn)行了拆解,分析,得出了一個(gè)可能等同于7nm工藝的結(jié)論。

而基于這個(gè)結(jié)論,外媒體們也就得出一個(gè)事實(shí),那就是國(guó)產(chǎn)芯片制造技術(shù),又有了突破,現(xiàn)在落后臺(tái)積電大約是5年左右。
為何這么說(shuō)?我們知道臺(tái)積電是在2018年量產(chǎn)了7nm工藝的,當(dāng)時(shí)臺(tái)積電7nm工藝首顆量產(chǎn)的芯片,是華為麒麟980。
在華為麒麟980之后,才有了蘋果的A12芯片,才有了高通驍龍855芯片,這在顆芯片都是7nm的芯片。
而我們現(xiàn)在才搞定7nm,差不多就是落后5年嘛,這個(gè)結(jié)論就是這么來(lái)的。

事實(shí)上,在這顆芯片之前,很多人認(rèn)為我們可能落后臺(tái)積電有8年之久了,因?yàn)楹芏嗳艘恢币詠?lái)我們現(xiàn)在的水平還是14nm,而臺(tái)積電是2015年就搞定了14nm工藝的,這樣算起來(lái)不就是8年了么(從2015年到2023年就是8年)?
其實(shí)說(shuō)真的,在14nm這個(gè)環(huán)節(jié)上,我們落后臺(tái)積電其實(shí)并不多的,臺(tái)積電在2015年搞定16/14nm,而我們?cè)?019年搞定14nm,當(dāng)時(shí)落后的大約只有4年。
而在2019年之后,中國(guó)芯更是加速前進(jìn),有了梁孟松大神的加盟之后,原計(jì)劃在2020年就試產(chǎn)7nm工藝,然后再進(jìn)行N+1、N+2等工藝的試產(chǎn)并量產(chǎn)的,當(dāng)時(shí)非常有希望迅速縮小差距至1至2年的。

后來(lái)的故事,大家也就清楚了,因?yàn)橹袊?guó)芯發(fā)展太快,威脅到美國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的地位了,于是被美國(guó)打壓,先進(jìn)的設(shè)備不準(zhǔn)賣,后來(lái)更是連14nm及以下的設(shè)備都被禁售了,所以很多人以為中芯可能就停留在14nm,沒(méi)前進(jìn)了,所以也就有了中國(guó)芯落后臺(tái)積電8年的說(shuō)法。
但華為Mate60的推出,就打破了這種說(shuō)法,很明顯沒(méi)有落后8年之久,實(shí)際來(lái)看,可能在5年左右(2018年到2023年之間是5年),你覺(jué)得呢?
不過(guò)也說(shuō)實(shí)話,接下來(lái)如果要從7nm要進(jìn)入5nm,就是一個(gè)很大的坎了,因?yàn)檫M(jìn)入5nm必須用到EUV光刻機(jī),浸潤(rùn)式光刻機(jī)最高只能支持7nm,這個(gè)坎沒(méi)這么容易跨過(guò)去。
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