據(jù)介紹，這項投資計劃的官方名稱為“國家先進封裝制造計劃”，目的在提高美國半導體的先進封裝能力，彌補其半導體產(chǎn)業(yè)鏈的缺口。

這也是美國《芯片與科學法案》的首項研發(fā)投資計劃，資金來自《芯片與科學法案》中專門用于研發(fā)的110億美元資金，與價值1000億美元的芯片制造業(yè)激勵資金池是分開的。

這筆資金將由商務部的國家標準與技術研究所管理，該研究所將建立一個先進的封裝試點設施，并為新的勞動力培訓計劃和其他項目提供資金。

據(jù)悉，美國的芯片封裝產(chǎn)能只占全球的3%。相比之下，中國的封裝產(chǎn)能估計占38%。

美國商務部副部長Laurie Locascio在宣布這一投資計劃時表示：“在美國制造芯片，然后把它們運到海外進行封裝，這會給供應鏈和國家安全帶來風險，這是我們無法接受的?！?/span>

Locascio聲稱，到2030年，美國“將擁有多個大批量先進封裝設施，并成為最復雜芯片批量先進封裝的全球領導者。

在美國芯片法案的激勵下，已經(jīng)有不少外國企業(yè)計劃將封裝項目落地美國。如：韓國芯片制造商SK海力士公司曾表示，將投資150億美元在美國建立先進的封裝設施；亞利桑那州州長凱蒂·霍布斯也透露，該州正在與臺積電進行談判，可能在該州建設先進封裝廠。