根據(jù)韓媒 Bridge Economy 報(bào)道，三星和 AMD 公司簽署了價(jià)值 4 萬(wàn)億韓元（備注：當(dāng)前約 210.8 億元人民幣）的 HBM3E 供貨合同。

報(bào)道稱三星和 AMD 簽署的這份合同中，AMD 采購(gòu)三星的 HBM，而作為交換三星會(huì)采購(gòu) AMD 的 AI 加速卡，但具體換購(gòu)數(shù)量目前尚不清楚。

三星日前表示將于今年上半年量產(chǎn) HBM3E 12H 內(nèi)存，而 AMD 預(yù)估將會(huì)在今年下半年開始量產(chǎn)相關(guān)的 AI 加速卡。

三星 HBM3E 12H 支持全天候最高帶寬達(dá) 1280GB/s，產(chǎn)品容量也達(dá)到了 36GB。相比三星 8 層堆疊的 HBM3 8H，HBM3E 12H 在帶寬和容量上提升超過(guò) 50%。

HBM3E 12H 采用了熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）技術(shù)，使得 12 層和 8 層堆疊產(chǎn)品的高度保持一致，以滿足當(dāng)前 HBM 封裝的要求。因?yàn)樾袠I(yè)正在尋找緩解薄片帶來(lái)的芯片彎曲問(wèn)題，這項(xiàng)技術(shù)將在更高的堆疊中帶來(lái)更多益處。

三星一直在努力降低其非導(dǎo)電薄膜（NCF）材料的厚度，并實(shí)現(xiàn)芯片之間的間隙最小化至 7 微米（μm），同時(shí)消除了層與層之間的空隙。這些努力使其 HBM3E 12H 產(chǎn)品的垂直密度比其 HBM3 8H 產(chǎn)品提高了 20% 以上。