據(jù)會(huì)上披露，2025年光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將正式突破1000億元，武漢有望躋身北京、上海、深圳、無錫之后的“半導(dǎo)體第五城”。在這一千億規(guī)模中，硅基半導(dǎo)體與化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模比例為4:1，化合物半導(dǎo)體已明確成為光谷半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的第二發(fā)展曲線。

目前，光谷已形成以九峰山實(shí)驗(yàn)室為核心、占地10平方公里的九峰山科技園，集聚長(zhǎng)飛光纖、先導(dǎo)稀材等多家上下游企業(yè)，覆蓋“材料—設(shè)計(jì)—制造—封裝測(cè)試—設(shè)備”全產(chǎn)業(yè)鏈條。

在技術(shù)創(chuàng)新層面，九峰山實(shí)驗(yàn)室作為核心創(chuàng)新極核，已實(shí)現(xiàn)多項(xiàng)全球領(lǐng)先突破——成功研發(fā)國(guó)際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底，打破國(guó)際技術(shù)壟斷，同時(shí)推出全球首片8英寸硅光薄膜鈮酸鋰光電集成晶圓，為射頻通信、自動(dòng)駕駛等前沿領(lǐng)域提供關(guān)鍵支撐。

在產(chǎn)業(yè)落地方面，投資120億元的先導(dǎo)稀材高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地，從簽約到實(shí)質(zhì)開工僅4個(gè)月，預(yù)計(jì)2025年底部分投產(chǎn)，將填補(bǔ)光通信及激光產(chǎn)業(yè)所需半導(dǎo)體襯底空白；長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地作為國(guó)內(nèi)最大碳化硅芯片生產(chǎn)基地，已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段，即將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)通線，年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅晶圓。