三星電子已完成第六代高帶寬存儲器（HBM4）的研發(fā)，并內(nèi)部完成了量產(chǎn)前的最后階段——生產(chǎn)準備就緒認證（PRA）。

據(jù)半導體行業(yè)消息人士12月3日透露，三星電子半導體DS事業(yè)部近日完成HBM4的PRA階段，這是內(nèi)部質(zhì)量驗證的最終階段。PRA是一項內(nèi)部指標，用于證明產(chǎn)品的良率和性能已達到量產(chǎn)標準。三星電子通過將10nm級第六代（1c）DRAM芯片與采用其代工部門4nm邏輯工藝制造的基礎芯片相結(jié)合，克服了發(fā)熱和速度方面的技術挑戰(zhàn)。此次PRA的批準表明，三星電子已進入新階段，其制造競爭力不再僅僅停留在研發(fā)階段，而是能夠直接轉(zhuǎn)化為盈利能力。

三星的業(yè)績預計將大幅增長。金融投資行業(yè)預計，該公司2026年的年度營業(yè)利潤將接近或超過100萬億韓元，創(chuàng)歷史新高。具體來看，2025年度營業(yè)利潤預計在40萬億~42萬億韓元之間。證券公司預計，三星2026年的營業(yè)利潤將達到至少84萬億~105萬億韓元，比今年增長2~2.5倍。尤其值得一提的是，預計僅DS部門2026年的營業(yè)利潤就將達到77萬億~93萬億韓元。

三星電子營業(yè)利潤大幅增長的背景在于HBM市場格局的轉(zhuǎn)變。從2026年下半年開始，HBM市場將迅速從現(xiàn)有的第五代（HBM3E）過渡到第六代（HBM4）。預計三星電子明年的HBM出貨量將達到105億Gb，比今年增長約三倍。這將形成一個利潤率顯著提升的格局，隨著高附加值產(chǎn)品HBM4占比的增加和技術完善度的提高，利潤率也將大幅提升。

三星電子的業(yè)績前景一片光明，因為即使產(chǎn)品價格上漲，市場需求也并未下降。近期有消息稱，三星電子預計將把HBM4價格定在約為每件500美元，這比目前主流的HBM3E（約370美元）高出約50%。預計這將產(chǎn)生一種性能杠桿效應，即銷量和價格同步上漲，這與明年HBM4市場的全面爆發(fā)不謀而合。

除了HBM之外，通用內(nèi)存市場的供應短缺預計也將提振三星電子的業(yè)績。業(yè)內(nèi)人士預計，2026年服務器DRAM的需求（比特增長）將比今年增長35%。然而，普遍認為供應增長將僅限于23%。全球大型科技公司和人工智能（AI）服務器制造商已開始提前采購。11月份服務器DRAM的固定價格環(huán)比上漲約25%，就是典型的例子。由于三星電子將其有限的晶圓產(chǎn)能集中用于高利潤的HBM和服務器DRAM，移動和PC DRAM的價格也在同步上漲。行業(yè)分析師預測，2026年第一季度通用DRAM的價格將比今年第四季度上漲超過20%。

三星電子通過同時拿下兩大客戶——英偉達圖形處理器 (GPU) 和谷歌張量處理器 (TPU) 的HBM供應——提高了鞏固其供應商優(yōu)勢市場的可能性。三星已完成向包括谷歌和英偉達在內(nèi)的大型科技客戶提交HBM4樣品，迄今為止，在流程階段尚未發(fā)現(xiàn)任何特殊的質(zhì)量問題。

觀察人士認為，三星電子最早可能在12月獲得英偉達的最終質(zhì)量認證 (Qual)。然而，多位業(yè)內(nèi)人士一致認為，2026年初獲得認證的可能性更大。他們表示，結(jié)合英偉達下一代AI加速器Rubin的發(fā)布計劃，最終認證將在明年第一季度完成，屆時產(chǎn)品將獲得全面的質(zhì)量驗證。

業(yè)內(nèi)人士表示：“AI內(nèi)存市場正面臨極其嚴峻的供應短缺，以至于競爭對手們紛紛表示，明年全年的產(chǎn)能預訂已全部排滿。三星電子憑借通過PRA認證，并將于明年加入HBM4的量產(chǎn)行列，不僅彰顯了其卓越的制造競爭力，更將一舉兩得——既驗證了自身的技術實力，又可通過壓倒性的量產(chǎn)規(guī)模實現(xiàn)可觀盈利?！保ㄐ?趙月）