NY8B060D 6 I/O + 12-通道 ADC 8 位 EPROM-Based 單片機(jī)
關(guān)鍵詞: NY8B060D單片機(jī) EPROM ADC 功能特性 內(nèi)存結(jié)構(gòu)
NY8B060D 6 I/O + 12-通道 ADC 8 位 EPROM-Based 單片機(jī)
1. 概述
NY8B060D是以EPROM作為存儲(chǔ)器的 8 位單片機(jī),專為家電或量測(cè)等等的I/O應(yīng)用設(shè)計(jì)。采用CMOS制程并同時(shí)提供客戶低成本、高性能、及高性價(jià)比等顯著優(yōu)勢(shì)。NY8B060D核心建立在RISC精簡(jiǎn)指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制,共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要兩個(gè)指令時(shí)鐘,大多數(shù)指令都是一個(gè)指令時(shí)鐘能完成,可以讓用戶輕松地以過程控制完成不同的應(yīng)用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復(fù)雜的應(yīng)用。
NY8B060D內(nèi)建高精度五加二通道 12 位ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器,與高精度電壓比較器,足以應(yīng)付各種模擬接口的偵測(cè)與量測(cè)。在 I/O 的資源方面,NY8B060D 有 6 根彈性的雙向 I/O 腳,每個(gè) I/O 腳都有單獨(dú)的寄存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個(gè) I/O 腳位都能通過控制相關(guān)的寄存器達(dá)成如上拉或下拉電阻或開漏(Open-Drain)輸出。此外針對(duì)紅外線搖控的產(chǎn)品方面,NY8B060D 內(nèi)置了可選擇頻率的紅外載波發(fā)射口。
NY8B060D 有二組定時(shí)器,可用系統(tǒng)時(shí)鐘當(dāng)作一般的計(jì)時(shí)應(yīng)用或者從外部訊號(hào)觸發(fā)來計(jì)數(shù)。另外 NY8B060D 提供 3組 10 位的 PWM 輸出,1 組蜂鳴器輸出,可用來驅(qū)動(dòng)馬達(dá)、LED、或蜂鳴器等等。NY8B060D 采用雙時(shí)鐘機(jī)制,高速振蕩時(shí)鐘或者低速振蕩時(shí)鐘都由內(nèi)部 RC 振蕩或外部晶振輸入。在雙時(shí)鐘機(jī)制下,NY8B060D 可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式(Standby mode)與眠模式(Halt mode),可節(jié)省電力消耗,延長(zhǎng)電池壽命。在省電的模式下,如待機(jī)模式(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)中,有多個(gè)中斷源可以觸發(fā)來喚醒 NY8B060D進(jìn)入正常模式(Normal mode)或慢速模式(Slow mode)來處理突發(fā)事件。
1.1 功能
? 寬廣的工作電壓:
? 2.0V ~ 5.5V @系統(tǒng)時(shí)鐘 ≦8MHz。
? 2.2V ~ 5.5V @系統(tǒng)時(shí)鐘 >8MHz。
? 寬廣的工作溫度:-40°C ~ 85°C。
? 1Kx14 位的程序存儲(chǔ)器空間(EPROM)。
? 64 字節(jié)的通用數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間(SRAM)。
? 6 根可分別單獨(dú)控制輸入輸出方向的I/O腳(GPIO)、PA[5,4,2]、PB[3,2,1]。
? PA[5,4,2] 及 PB[3,2,1]可選擇輸入時(shí)使用內(nèi)部下拉電阻。
? PA[5,4,2] 及 PB[3,2,1]可選擇輸入時(shí)使用上拉電阻。
? PB[3,2,1]可選擇開漏輸出(Open-Drain)。
? PA[5]可選擇當(dāng)作輸入或開漏輸出(Open-Drain)。
? 所有I/O腳輸出可選擇一般灌電流(Normal Sink Current)或大灌電流(Large Sink Current)。
? 8 級(jí)深度硬件堆棧(Stack)。
? 存取數(shù)據(jù)有直接或間接尋址模式。
? 一組 8 位上數(shù)定時(shí)器(Timer0)包含可編程的預(yù)分頻器。
? 一組 10 位下數(shù)定時(shí)器(Timer1)可選自動(dòng)重載或連續(xù)下數(shù)計(jì)時(shí)。
? 三個(gè) 10 位的脈沖寬度調(diào)變輸出(PWM1、2、3)。
? 一個(gè)蜂鳴器輸出(BZ1)。
? 38/57KHz紅外線載波(IR)頻率可供選擇,同時(shí)載波之極性也可以通過寄存器選擇。
? 內(nèi)置準(zhǔn)確的低電壓偵測(cè)電路(LVD)。
? 內(nèi)置五加二通道 12 位ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Analog to Digital Converter)。
? 內(nèi)置精準(zhǔn)的電壓比較器(Voltage Comparator)。
? 內(nèi)置上電復(fù)位電路(POR)。
? 內(nèi)置低壓復(fù)位功能(LVR)。
? 內(nèi)置看門狗計(jì)時(shí)(WDT),可由配置字節(jié)(Configuration Word)控制開/關(guān)。
? 內(nèi)置電阻/頻率轉(zhuǎn)換器(RFC)功能。
? 雙時(shí)鐘機(jī)制,系統(tǒng)時(shí)鐘可以隨時(shí)切換高速振蕩或者低速振蕩。
? 高速振蕩時(shí)鐘: I_HRC(1~20MHz內(nèi)部高速RC振蕩)
? 低速振蕩時(shí)鐘: I_LRC(內(nèi)部 32KHz低速RC振蕩)
? 四種工作模式可隨系統(tǒng)需求調(diào)整電流消耗:正常模式(Normal mode)、慢速模式(Slow mode)、待機(jī)模式
(Standby mode)與睡眠模式(Halt mode)。
? 七種硬件中斷:
? Timer0 上溢中斷。
? Timer1 下溢中斷。
? WDT中斷。
? PA/PB輸入狀態(tài)改變中斷。
? 一組外部中斷。
? 低電壓偵測(cè)中斷。
? ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換完成中斷。
? NY8B060D在待機(jī)模式(Standby mode)下的七種喚醒中斷:
? Timer0 上溢中斷。
? Timer1 下溢中斷。
? WDT中斷。
? PA/PB輸入狀態(tài)改變中斷。
? 一組外部中斷。
? 低電壓偵測(cè)中斷。
? ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換完成中斷。
? NY8B060D在睡眠模式(Halt mode)下的三種喚醒中斷:
? WDT中斷。
? PA/PB輸入狀態(tài)改變中斷。
? 一組外部中斷。
1.2 NY8B060D 與 NY8B062E、NY8B062D 的主要差異

1.3 系統(tǒng)框圖

2. 內(nèi)存結(jié)構(gòu) NY8B060D存儲(chǔ)器分為兩類:分別是程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2.1 程序存儲(chǔ)器 NY8B060D程序存儲(chǔ)器空間是 1Kx14 位。因此,10 位寬的程序計(jì)數(shù)器(PC)可以訪問程序存儲(chǔ)器的任何地址。 復(fù)位地址位于 0x000,軟件中斷地址位于 0x001,內(nèi)部和外部硬件中斷地址位于 0x008。 NY8B060D提供LCALL和LGOTO指令訪問程序空間的任何地址。 當(dāng)發(fā)生子程序調(diào)用或中斷情況時(shí),下一個(gè)ROM地址寫入堆棧的頂部。而當(dāng)執(zhí)行RET、RETIA或RETIE指令,堆棧 頂部的數(shù)據(jù)會(huì)被讀取并加載到程序計(jì)數(shù)器。 NY8B060D程序存儲(chǔ)器地址 0x3FE~0x3FF是保留地址。如果用戶在這些地址寫入程序可能會(huì)發(fā)生無法預(yù)期的程序 執(zhí)行錯(cuò)誤。
NY8A060D程序存儲(chǔ)器地址 0x00E~0x00F是Preset Rolling Code地址。如果用戶在不設(shè)置滾碼時(shí)可當(dāng)作程序區(qū)使 用。

2.2 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
根據(jù)用于存取數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的指令,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器可分為三類:R-page特殊功能寄存器(SFR)和通用寄存器(GPR)、F-page特殊功能寄存器、S-page特殊功能寄存器。GPR是由SRAM組成,用戶可以使用它們來存儲(chǔ)變量或計(jì)算結(jié)果。R-page特殊功能寄存器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器分為四組Bank,可通過數(shù)據(jù)指針寄存器(FSR)來切換Bank。寄存器BK[1:0]為STATUS[7:6],可從四個(gè)Bank中選擇其中一個(gè)。R-page特殊功能寄存器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器可用直接尋址方式和間接尋址方式來進(jìn)行存取。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器使用間接尋址方式如下圖所描述,這種間接尋址方式包含使用INDF寄存器。Bank選擇是由STATUS[7:6]決定,地址選擇則是由FSR[6:0]而定。
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