最新市場(chǎng)數(shù)據(jù)顯示，今年2 月存儲(chǔ)現(xiàn)貨價(jià)格整體上揚(yáng)，其中NAND 快閃存儲(chǔ)晶圓漲幅最明顯。專家最新示警，隨著供需之間缺口持續(xù)擴(kuò)大，現(xiàn)貨價(jià)格快速攀升，采購資金壓力同步增加，若趨勢(shì)不變，業(yè)界恐面臨周期性崩潰風(fēng)險(xiǎn)。

具體來看，DDR5 16G(2Gx8) 芯片均價(jià)升至39 美元，月增7.4%，1Tb TLC 快閃晶圓漲25% 至25 美元，成為月度漲幅冠軍。雖然春節(jié)假期使2 月中的交易降溫，但假期后市場(chǎng)迅速回溫，價(jià)格持續(xù)向上。

DDR4 表現(xiàn)則較分化，16Gb(2Gx8) 幾乎持平，僅微漲0.26% 至78.1 美元，8Gb(1Gx8) 上漲6.8% 至33 美元。相較今年1 月普遍20 至30% 漲幅，DDR4 明顯放緩，DDR3 4Gb(512Mx8) 則上漲7.5% 至5.70 美元，專家認(rèn)為此現(xiàn)象多屬季節(jié)性因素，非市場(chǎng)壓力緩解。

與此同時(shí)，合約價(jià)格預(yù)期也大幅上調(diào)。 TrendForce 上月初將2026 年第一季傳統(tǒng)DRAM 合約價(jià)漲幅由55% 至60% 上修至90% 至95%，PC DRAM 更預(yù)估季增翻倍，創(chuàng)新紀(jì)錄，NAND 合約價(jià)則由33% 至38% 上調(diào)至55% 至60%。

推升價(jià)格的主因是AI 基礎(chǔ)建設(shè)帶動(dòng)服務(wù)器DRAM 與HBM 需求，持續(xù)吸納產(chǎn)能，使傳統(tǒng)DRAM 與消費(fèi)級(jí)NAND 供應(yīng)吃緊。

在NAND 市場(chǎng)，2 月現(xiàn)貨漲價(jià)僅是長期趨勢(shì)一環(huán)，自去年10 月以來，1Tb QLC/TLC 晶圓價(jià)格已飆漲約三倍，512Gb TLC 更猛漲近五倍，主因是廠商將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高利潤企業(yè)級(jí)SSD，壓縮模組廠的晶圓供應(yīng)，持續(xù)推高市場(chǎng)價(jià)格。