3月10日，韓國存儲巨頭SK海力士正式宣布，成功基于其最先進的第六代10納米級（1c）工藝，開發(fā)出全球首款16Gb LPDDR6 DRAM內(nèi)存產(chǎn)品。

該公司表示，目前已完成該產(chǎn)品的開發(fā)驗證工作，計劃于2026年上半年全面完成量產(chǎn)準備，并于下半年正式啟動供貨。這將進一步豐富SK海力士面向AI應(yīng)用優(yōu)化的DRAM產(chǎn)品線，鞏固其在高端移動存儲市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。

LPDDR（低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率）內(nèi)存一直是移動設(shè)備的“心臟”，其性能直接決定了設(shè)備的響應(yīng)速度與續(xù)航能力。從LPDDR1到LPDDR5X，每一代標(biāo)準的迭代都伴隨著移動生態(tài)的繁榮。而此次LPDDR6的問世，則是為了應(yīng)對生成式AI在端側(cè)部署帶來的嚴苛挑戰(zhàn)。

SK海力士此次采用的1c（1γ）工藝節(jié)點，是其第六代10納米級DRAM制造技術(shù)。相比競爭對手三星電子目前采用的12納米制程，SK海力士在制程微縮上顯然快人一步。這種先進的工藝不僅提升了晶體管的密度，更為降低功耗和提升速度奠定了物理基礎(chǔ)。

根據(jù)官方公布的數(shù)據(jù)，這款1c LPDDR6產(chǎn)品在關(guān)鍵指標(biāo)上實現(xiàn)了對上一代LPDDR5X的全面超越。

在速度方面，得益于帶寬的大幅擴展和單位時間內(nèi)數(shù)據(jù)傳輸量的激增，新產(chǎn)品的數(shù)據(jù)處理速度較LPDDR5X提升了33%。其基礎(chǔ)工作速度已突破10.7 Gbps，而其單引腳傳輸速率更是高達14.4 Gbps。這一數(shù)值對應(yīng)了JEDEC規(guī)范中LPDDR6標(biāo)準的最高速檔，意味著SK海力士在標(biāo)準頻率范圍內(nèi)已近乎“跑滿”極限。

在能效方面，面對移動設(shè)備對續(xù)航的極致追求，SK海力士引入了兩項關(guān)鍵技術(shù)：子通道結(jié)構(gòu)與DVFS（動態(tài)電壓頻率調(diào)整）技術(shù)。子通道結(jié)構(gòu)允許芯片選擇性僅激活必要的數(shù)據(jù)路徑，避免了無效功耗；而DVFS技術(shù)則能根據(jù)芯片實時的運行環(huán)境，動態(tài)調(diào)整電壓與頻率。

“這是一種智能的功耗管理策略，”SK海力士技術(shù)人員解釋道，“在高規(guī)格游戲或端側(cè)大模型推理等高性能場景下，設(shè)備可自動提升DVFS等級以釋放最大帶寬性能；而在日常瀏覽、待機低功耗場景中，則自動降低頻率與電壓，從而節(jié)省每一分電量?！睂崪y數(shù)據(jù)顯示，新一代產(chǎn)品的整體功耗較前代降低了超過20%。

隨著SK海力士細節(jié)的披露，三星的壓力隨之而來。相比之下，三星16Gb LPDDR6速率為12.8Gbps。三星本代產(chǎn)品采用12nm制程，略次于SK海力士的10nm級別，但三星強調(diào)其新一代LPDDR6相較前代LPDDR5X可實現(xiàn)21%的能效提升。此外，三星LPDDR6使用NRZ信號進行I/O傳輸，并采用12DQ子通道架構(gòu)。

業(yè)內(nèi)分析指出，LPDDR6的量產(chǎn)不僅僅是參數(shù)的提升，更是端側(cè)AI普及的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。隨著手機端側(cè)大模型、實時視頻處理、高幀率云游戲等應(yīng)用的爆發(fā)，傳統(tǒng)內(nèi)存帶寬已成為瓶頸。LPDDR6提供的超高帶寬和超低功耗，將使得在手機本地運行更復(fù)雜的AI模型成為可能，同時保證設(shè)備不發(fā)燙、不掉電。

SK海力士表示，隨著下半年正式供貨，這款內(nèi)存將迅速被旗艦智能手機和高端平板電腦采納。