韓國在高性能化合物半導體器件的本地化方面取得了一項關(guān)鍵性進展，此前這些器件長期以來一直依賴進口。

業(yè)內(nèi)人士表示，韓國納米技術(shù)研究院（KANC）在4英寸GaAs（砷化鎵）變質(zhì)高電子遷移率晶體管（mHEMT）制造工藝中實現(xiàn)超過95%的良率。該人士補充說，這一結(jié)果表明該工藝已達到適合商業(yè)化和量產(chǎn)的穩(wěn)定性水平。

GaAs mHEMT是由多種元素組合而成的化合物半導體器件，被廣泛認為是能夠克服硅基半導體物理限制的下一代材料平臺。

與硅相比，GaAs的電子遷移率高出約5~6倍，這使得它在超高頻應(yīng)用中能夠?qū)崿F(xiàn)強放大并最大限度地減少信號失真。

該材料還能滿足嚴苛環(huán)境下的嚴格可靠性要求，包括太空中的強輻射環(huán)境，并被應(yīng)用于國防、航天和下一代通信領(lǐng)域，例如有源電子掃描陣列 (AESA) 雷達和導彈導引頭。

然而，GaAs比硅更易碎且加工難度更大，這導致其生產(chǎn)歷來局限于較小的2英寸和3英寸晶圓。韓國的制造業(yè)基礎(chǔ)落后于國內(nèi)設(shè)計能力，導致超過90%的關(guān)鍵組件依賴進口。

KANC在保持95%以上良率的同時，成功過渡到4英寸晶圓平臺，提高了生產(chǎn)效率和工藝穩(wěn)定性，從而支持了韓國的本土化發(fā)展。

KANC還開始開發(fā)用于單片微波集成電路（MMIC）設(shè)計的工藝設(shè)計套件（PDK），提供用于電路設(shè)計和仿真的工藝參數(shù)和模型數(shù)據(jù)。

該平臺建成后，預計將使韓國無晶圓廠企業(yè)能夠利用KANC的4英寸工藝設(shè)計和生產(chǎn)高性能芯片，從而助力構(gòu)建本土化合物半導體生態(tài)系統(tǒng)。

該機構(gòu)還在籌備多項目晶圓（MPW）服務(wù)，該服務(wù)允許在單個晶圓上制造多個芯片設(shè)計。此舉有望降低小型無晶圓廠企業(yè)的原型成本，縮短開發(fā)周期，同時減少對海外代工廠的依賴，而海外代工廠通常成本更高、交貨周期更長。（校對/李梅）