近日，被譽為“中國刻蝕機之父”的中微半導(dǎo)體董事長尹志堯做客央視財經(jīng)《對話》欄目，分享了中國半導(dǎo)體設(shè)備從打破壟斷到引領(lǐng)全球的創(chuàng)新突圍之路。

在節(jié)目中，尹志堯自豪地透露：“我們首創(chuàng)了甚高頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)，后來國際三大設(shè)備公司都按這個方向做，現(xiàn)在100%的CCP（電容耦合等離子體）刻蝕機都在用這個方法。”這一“中國首創(chuàng)”技術(shù)不僅打破了國外在刻蝕機領(lǐng)域的長期壟斷，更迫使全球行業(yè)巨頭紛紛“抄作業(yè)”，成為了全行業(yè)的通用標準。

20多年前，全球等離子體刻蝕機市場被美國泛林、應(yīng)用材料和日本東京電子三巨頭牢牢把控，占據(jù)90%以上的市場份額。2004年，60歲的尹志堯毅然放棄在美國的百萬年薪與頂尖公司高管職位，帶著數(shù)百項專利的技術(shù)積累回國創(chuàng)業(yè)。

回國之初，為了規(guī)避敏感的技術(shù)糾紛，尹志堯要求所有團隊成員簽字畫押，不帶任何文件，使用全新的計算機，完全“從一張白紙開始”。憑借在行業(yè)深耕數(shù)十年的技術(shù)沉淀，尹志堯確立了“技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品差異化、知識產(chǎn)權(quán)保護”三大核心原則。他堅信：“過去能想出來，現(xiàn)在就能想出更好的，我們絕不重復(fù)國外的技術(shù)，一定要有創(chuàng)新。”

中微公司最具里程碑意義的突破，便是自主研發(fā)出甚高頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕技術(shù)。這項技術(shù)解決了傳統(tǒng)刻蝕機在精度與效率上的平衡難題，徹底重構(gòu)了等離子體的控制精度。僅用三年時間，中微就打破了國外的技術(shù)壟斷，而國際三大設(shè)備公司在三年后也全部轉(zhuǎn)向了這條技術(shù)路線。

此外，中微首創(chuàng)的“雙臺機設(shè)計”同樣寫進了行業(yè)教科書。該設(shè)計實現(xiàn)了單臺設(shè)備同時刻蝕兩片硅片，不僅材料節(jié)省30%以上，且成本更低、性能更穩(wěn)定。2007年，中微推出首臺雙反應(yīng)臺國產(chǎn)刻蝕設(shè)備，以遠低于國際供應(yīng)商的售價和更優(yōu)的性能，硬生生在壟斷市場中撕開了一道口子。

尹志堯回憶，創(chuàng)業(yè)初期曾向中芯國際創(chuàng)始人張汝京尋求支持。面對國產(chǎn)設(shè)備試錯的風(fēng)險，張汝京帶頭“吃螃蟹”，表示：“試新的設(shè)備一定會有風(fēng)險，這個時間成本我們來負責。”正是這份包容與信任，讓中微設(shè)備快速完成驗證迭代。尹志堯透露，目前中芯國際的設(shè)備中至少有800臺來自中微。

這種緊密的產(chǎn)業(yè)協(xié)同，催生了驚人的“中微速度”。2023年12月，中微決定進軍此前17種核心工藝設(shè)備全部依賴進口的大平板顯示設(shè)備領(lǐng)域。按行業(yè)經(jīng)驗，開發(fā)一臺重達150噸、兩層半樓高的超大平板設(shè)備至少需要3到7年，但中微團隊僅用12個月就做出設(shè)備并實現(xiàn)運轉(zhuǎn)，18個月便運抵生產(chǎn)線，兩年內(nèi)實現(xiàn)核準投產(chǎn)。尹志堯自信地表示：“我們現(xiàn)在有能力做最先進的設(shè)備。”

從60歲歸國到82歲恢復(fù)中國國籍，尹志堯用22年時間將一家初創(chuàng)公司打造成市值超2000億元的行業(yè)標桿。面對未來，中微公司正加速向平臺化轉(zhuǎn)型，計劃在五年左右覆蓋60%以上的集成電路高端關(guān)鍵設(shè)備。尹志堯呼吁更多下游客戶給予國產(chǎn)設(shè)備機會，因為“如果沒有人使用，設(shè)備永遠不會進步”。