AI服務器帶動高容量DDR5 RDIMM與高容量QLC／TLC，成為單片晶圓產值最高的存儲產品。在高端產能稀缺下，韓系及美系存儲原廠產能配置，全面傾斜AI相關高產值產品。

另一方面，隨Agentic AI推動模型由訓練轉向推理，AI數據中心CPU需求快速提升，帶動DDR5 RDIMM需求快速增長，對已高度短缺的供給，形成更大壓力。

法人認為，未來RDIMM、HBM、eSSD與Switch等服務器相關存儲產品，將逐步擺脫過去Commodity屬性，轉變為AI基礎建設中的核心戰略資源，臺系存儲制造廠如南亞科、華邦電及旺宏，有望受惠存儲產業結構性的改變。

為確保存儲供給量，美系云端供應商（CSP）正積極與原廠洽談長約（LTA），以確保RDIMM、HBM與eSSD供應穩定。

但2026年至2027年全球存儲投片量，仍受限于高階無塵室不足、EUV設備供應吃緊，以及三星、SK海力士與美光等大廠，優先將資源集中于高階DRAM產品等因素。

法人預估，2026年與2027年全球DRAM投片量年增率僅約9％與11％，NAND Flash則約為-2％與5％，供給成長相對有限。

臺廠方面，南亞科成為市場關注焦點。南亞科正積極推進DDR5布局，預計2026年底至2027年陸續量產高規DDR5產品，并有機會切入RDIMM與AI服務器市場。

隨產品結構由TV、STB等消費應用，逐步轉向服務器相關應用，未來產品組合與獲利能力可望顯著提升。

華邦電則可望受惠Consumer DDR4供給持續退出。隨主要DRAM原廠逐步縮減DDR4產能，市場供給持續收斂，也有利華邦電在利基型DDR4與特殊型存儲市場的議價能力提升。

法人看好華邦電CUBE與高附加價值產品布局，并進一步切入Si-Cap相關制程整合，逐步由傳統存儲供應商，朝AI特殊存儲與高速運算供應鏈升級。

旺宏則可望受惠MLC／SLC NAND供給收縮。由于國際大廠將產能轉向高容量QLC與企業級儲存產品，低容量SLC／MLC NAND供應持續減少，也使工控、車用、網通與嵌入式市場需求轉向利基型供應商。法人認為，旺宏后續NOR Flash與SLC NAND產品報價與產能利用率，均有機會進一步提升。