只有距離或額外的屏蔽才能將 EMC 濾波器、連接器和電纜的場強降低到必要的水平，而屏蔽可以代替距離。

最好的方法是采用至少4層、雙面組裝的 PCB，并將DC/DC 電路和濾波器組件放在電路板相對的兩側。而且，至少有一個內部板層為完整的接地層，以最大可能地減少從噪聲源到濾波器電路的交叉耦合。

如果因為系統限制，DC/DC 電路必須靠近連接器，則必須在設計初期即考慮有效的屏蔽。散熱器有時也可以用來屏蔽。理想情況下，電感、內置功率 MOSFET 的 DC/DC IC 及其去耦電容都應被屏蔽。

PCB布局指南

在降壓變換器中，主要的場源包括：

- 由兩個電源開關和 CIN形成的高 di/dt 環路（熱環路），它輻射出寬帶磁場
- 功率 FET 和電感之間的開關節點，具有強電場輻射
- 輻射電場和磁場的電感

交流磁場可以被能夠感應渦流的固體金屬區域屏蔽。而銅因其高導電性即為非常有效的屏蔽材質。在PCB 上，返回固定電位的電位差路徑中的任何導體都可以有效屏蔽電場輻射。

任何高 di/dt 環路都會輻射出與環路面積和電流幅度成比例的磁場。將輸入電容放置在靠近兩個電源開關的位置，并采用低阻抗連接，可以最大限度地減小天線環路面積。

為進一步減少該環路產生的磁場，可以在電源開關處對稱放置兩組電容。理想情況下，這樣可以將兩個環路中的峰值電流降低一半，從而將 H 場降低 6dB。如果兩個環路的方向相反，更將進一步降低輻射的H磁場。(1)

在DC/DC電路的下一層、間距小于100μm的位置應布置完整的GND區域。在這個鋪銅區域中，流經電路元件和 PCB 跡線的高 di/dt 電流會產生渦流。渦流與元件側的原始電流方向相反，兩個磁場將相互抵消。如果渦流能夠在最短距離內對元件側的高 di/dt 環路電流進行鏡像，則效果最佳。

在超導、零距離和兩個環路形狀完全匹配的理想情況下，PCB 元件側的 H 場輻射將被渦流的 H 場完全抵消。

由于DC/DC 電路下方的 GND 鋪銅區域有阻抗，因此高 di/dt 渦流會產生電勢差，并讓該區域產生噪聲。這個高噪聲的 GND 區域必須與系統 GND 區域分開，尤其要與濾波器和連接器的任何 GND 參考區域隔離。在多層 PCB 中，可以分別布局各層，并通過層間的通孔阻抗來實現隔離。

多層 PCB 的三維視圖可以說明這一概念（見圖 2）。

在頂層，輸入電容(CIN)和兩個功率 FET 連接至 VIN區域和 PGND 區域（如上圖中的紅色部分），它們通過通孔連接到內層。在 VIN路徑上，通孔之后必須連接電感元件（例如 1μH 至 2μH的線圈）。這樣，來自開關轉換的高 di/dt 電流將被限制在 CIN中，不會在PCB上流動。

PGND 區域不應直接連接到元件側的任何其他 GND，只通過通孔連接到 DC/DC 模塊下的 PGND 區域（如上圖中的藍色部分）。其目的是將高頻電流限制在元件側，將噪聲與“外界”隔離開來。PCB中至少要設計一層完整的GND，以提供低阻抗的系統參考。請記住，布局也是電路的一部分。