近日，瀚薪科技宣布在第三代半導體技術研發領域再獲突破，成功取得兩項國家專利授權，分別為“一種SiC半導體組件的制作方法”（專利號：ZL2021110482707.0）與“頂部散熱封裝結構”（專利號：ZL202530634689.2），進一步夯實公司在SiC功率器件領域的技術壁壘。

本次授權的兩項專利均聚焦SiC半導體的關鍵制造與封裝環節。其中，“SiC半導體組件的制作方法”涉及器件制備的核心工藝優化，有望提升產品良率與性能一致性；“頂部散熱封裝結構”則針對功率器件高散熱需求，通過結構創新降低熱阻，提升器件在高功率場景下的可靠性與使用壽命。

作為第三代半導體的核心材料，SiC憑借高耐壓、低損耗、耐高溫等特性，被廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、工業控制等領域，市場需求持續爆發。瀚薪科技此次專利突破，正是瞄準行業痛點，通過工藝與封裝技術創新，提升產品競爭力。

瀚薪科技長期深耕SiC功率器件研發與制造，此前已在SiC MOSFET、模塊封裝等領域形成多項核心專利。此次新增專利將進一步完善公司的技術布局，為后續產品迭代與規模化量產提供支撐，助力公司在國內SiC功率器件賽道構建先發優勢。

當前，國產第三代半導體正處于快速發展期，技術突破與專利積累成為企業競爭的關鍵。瀚薪科技持續加碼核心技術研發，不僅強化了自身在SiC領域的技術實力，也為國內半導體產業鏈的自主可控注入了新動能。未來，公司將繼續圍繞SiC功率器件的工藝優化與性能提升開展研發，推動國產第三代半導體技術邁向更高水平。

（校對/李正操）