韓媒最新報導指出，三星電子正加速推進下一代高頻寬存儲布局，在HBM4 今年正式進入量產(chǎn)的同時，已將目光投向更遠一代產(chǎn)品，打算將HBM5 基片工藝從4 nm提升至2 nm，并以1d DRAM 作為HBM5E 的核心堆疊存儲。這一戰(zhàn)略部署顯示三星在AI 存儲市場的強勢擴張意圖，對高端DRAM 供應格局及下游AI 加速器供應鏈具有深遠影響。

綜合《韓聯(lián)社》、《ETNews》與《SEDaily》報導、三星存儲開發(fā)負責人、副總裁Hwang Sang-jun 在輝達GTC 大會上披露了詳細規(guī)劃。他明確表示，HBM5 的基片將采用三星晶圓代工的2 nm制程，較HBM4 及HBM4E 所用的4 nm制程實現(xiàn)跨代升級，以滿足下一代AI 工作負載對存儲性能的更高要求。此舉雖讓成本上升，但為達成HBM 的目標性能，引入先進制程已成為不可避免的技術路徑。

產(chǎn)能目標方面，Hwang Sang-jun 透露，三星今年擬讓HBM4 在全部HBM 出貨中的占比超過50%，同時整體HBM 產(chǎn)量較去年提升逾三倍。 HBM4 今年才正式進入量產(chǎn)階段，這一積極目標顯示三星正全力擴充產(chǎn)能來匹配AI 芯片市場對高頻寬存儲持續(xù)攀升的需求。若此計劃落實，將對全球高端DRAM 市場供應格局產(chǎn)生實質影響。

在HBM5E 層面，技術藍圖更為前瞻。據(jù)披露，該產(chǎn)品將以1d DRAM 作為核心堆疊存儲，相較于HBM4 及HBM4E 所采用的1c DRAM 再度升級。目前1d DRAM 仍處于三星內(nèi)部研發(fā)階段，但知情人士透露已取得較好的性能表現(xiàn)與測試良率，顯示出向量產(chǎn)推進的積極信號。

除存儲業(yè)務外，三星正通過代工Groq 3 推理芯片擴展在AI 加速器產(chǎn)業(yè)鏈中的定位。 Groq 3 正在三星平澤園區(qū)生產(chǎn)，量產(chǎn)目標定于今年第三季底至第四季初，當前訂單量已超出預期。

Groq3 裸片面積超過700 平方毫米，每片晶圓僅可切出約64 顆芯片，遠低于通常的400 至600 顆。該芯片約70% 至80% 的面積由SRAM 構成，可在片上完成快速推理運算，無需依賴外部HBM。

市場分析指出，三星代工Groq 3 LPU 芯片被視為其成為下一代AI 加速器全棧平臺核心合作伙伴的重要標志。在三星晶圓代工部門進入輝達供應鏈之后，三星的角色已從單純的存儲供應商，延伸至LPU 制造領域，與輝達生態(tài)系統(tǒng)的合作深度進一步擴展，此舉意味著三星正從零件供應商朝著全棧式AI 解決方案提供者轉型。

這一戰(zhàn)略轉型恰逢AI 計算需求爆發(fā)的關鍵時期。隨著大模型和生成式AI 應用快速普及，對HBM 和專用推理芯片的需求呈現(xiàn)指數(shù)級增長。三星通過存儲技術迭代與代工業(yè)務擴張的雙輪驅動，正在構建從存儲到計算的完整AI 硬體生態(tài)體系。

觀察人士認為，三星的布局反映了半導體產(chǎn)業(yè)垂直整合的趨勢。通過將先進內(nèi)存技術與晶圓代工能力相結合，三星有望在AI 芯片市場獲得更強的話語權。

不過，這一戰(zhàn)略也面臨諸多挑戰(zhàn)，包括技術研發(fā)的高投入、產(chǎn)能擴張的執(zhí)行風險，以及日益激烈的市場競爭。

隨著HBM4 量產(chǎn)爬坡和HBM5 技術開發(fā)同步推進，三星在高階AI 存儲領域的領先優(yōu)勢有望進一步擴大，而透過代工業(yè)務切入AI 推理芯片市場，則為其打開了新的增長空間。該公司的轉型成效將對全球半導體產(chǎn)業(yè)格局產(chǎn)生深遠影響。