近日，馬來(lái)西亞總理兼財(cái)政部長(zhǎng)拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣（Datuk Seri Anwar Ibrahim）正式宣布，英特爾位于馬來(lái)西亞的先進(jìn)封裝工廠——代號(hào)“鵜鶘項(xiàng)目”（Project Pelican），將于今年晚些時(shí)候全面投產(chǎn)。

據(jù)科技媒體TechPowerUp及《馬來(lái)西亞邊緣報(bào)》報(bào)道，該工廠的建設(shè)已于2025年年底進(jìn)入最后沖刺階段，整體完工率高達(dá)99%。

英特爾高度重視這一項(xiàng)目，其總投資規(guī)模約達(dá)70億美元。為確保工廠順利完工，公司近期又追加了2億美元投資，力求將馬來(lái)西亞打造成其區(qū)域性的先進(jìn)封裝核心樞紐。

安瓦爾·易卜拉欣在社交媒體上發(fā)文透露，他已親自會(huì)見(jiàn)了英特爾首席執(zhí)行官陳立武（Lip-Bu Tan）及其他核心管理層，詳細(xì)聽(tīng)取了關(guān)于公司在馬投資擴(kuò)張進(jìn)展的匯報(bào)。

雙方討論的重點(diǎn)緊密圍繞如何有效支持先進(jìn)封裝綜合體以及發(fā)展組裝與測(cè)試制造，并共同審查了項(xiàng)目的最終進(jìn)度。安瓦爾表示，該基地的建成將極大提升馬來(lái)西亞在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的戰(zhàn)略地位。

英特爾代工業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理納加·錢德拉塞卡蘭（Naga Chandrasekaran）在匯報(bào)期間勾勒了項(xiàng)目的具體實(shí)施路徑。他指出，該綜合體第一階段的運(yùn)營(yíng)規(guī)劃將明確從先進(jìn)封裝的組裝與測(cè)試工作著手。

該工廠將承接芯片晶圓分選、預(yù)處理等關(guān)鍵工序，并全面支持英特爾兩大核心先進(jìn)封裝技術(shù)：EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）和Foveros。這意味著，該基地能夠更快響應(yīng)客戶對(duì)于高性能計(jì)算芯片的產(chǎn)能與技術(shù)需求。

隨著AI大模型對(duì)算力需求的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，傳統(tǒng)封裝技術(shù)已難以滿足新一代芯片對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）的集成需求。英特爾馬來(lái)西亞工廠的投產(chǎn)，正是為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)。

據(jù)悉，英特爾目前正致力于擴(kuò)大封裝尺寸，計(jì)劃將現(xiàn)有的100x100毫米行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)至120x120毫米。這一看似微小的尺寸變化，實(shí)則帶來(lái)了巨大的性能飛躍：芯片支持的HBM堆疊數(shù)量將從目前的8層大幅增加至12層。更為雄心勃勃的是，公司已制定長(zhǎng)期規(guī)劃，預(yù)計(jì)到2028年將推出120x180毫米的超大封裝產(chǎn)品，屆時(shí)可容納高達(dá)24層HBM，內(nèi)存擴(kuò)展能力將實(shí)現(xiàn)質(zhì)的突破。

為匹配這一硬件升級(jí)，英特爾還升級(jí)了最新版本的EMIB-T技術(shù)。該技術(shù)融合了硅通孔（TSV）工藝，可完美支持現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)階段的下一代HBM4內(nèi)存。

韓國(guó)電子時(shí)報(bào)指出，與英偉達(dá)AI加速器所采用的傳統(tǒng)硅中介層不同，EMIB技術(shù)將硅橋直接嵌入芯片基板，為實(shí)現(xiàn)高精度2.5D封裝提供了更經(jīng)濟(jì)、更高效的解決方案。目前，英特爾正聯(lián)合長(zhǎng)期合作伙伴安靠科技（Amkor），在韓國(guó)松島K5工廠等地同步落地其EMIB先進(jìn)封裝技術(shù)，以形成全球協(xié)同的產(chǎn)能網(wǎng)絡(luò)。