美國存儲大廠美光受惠AI驅(qū)動存儲缺貨漲價潮，上季財報與本季展望優(yōu)于市場預期，本季毛利率預估沖破八成，創(chuàng)半導體制造業(yè)驚人記錄，甚至比英偉達與臺積電還高，CEO梅羅塔高喊存儲持續(xù)供不應求，將擴大本年度與明年度資本支出擴產(chǎn)。

美光3月18日舉行財報會議，宣布截至8月底止的本年度資本支出將逾250億美元，明年度資本支出更將“大幅提高”，制造設(shè)備與廠房興建相關(guān)成本將增加逾百億美元。

法人指出，美光持續(xù)看旺后市，中國臺灣南亞科、華邦、威剛、十銓、宜鼎、群聯(lián)等存儲相關(guān)廠商也將沾光，惟美光大手筆擴產(chǎn)，也讓市場憂心后續(xù)新產(chǎn)能開出后，是否影響存儲“景氣超級周期”走勢。

受相關(guān)疑慮影響，加上股價已先行創(chuàng)高，美光公布財報后，3月18日盤后股價由紅翻黑，下跌近4%，19日早盤一度重挫6%。臺灣存儲相關(guān)族群則走勢不同調(diào)，威剛、十銓、宜鼎等逆勢收紅；華邦、南亞科跌逾4%。

美光結(jié)算，上季營收239億美元，季增75％，年增196％。其中，占該公司近八成業(yè)績的DRAM相關(guān)營收年增2.07倍，儲存型快閃存儲（NAND Flash）業(yè)績則年增1.69倍。

美光上季獲利更是驚人，Non-GAAP毛利率高達74.9％；凈利140.2億美元，季增1.55倍，年增6.86倍；凈利率達59％，稀釋每股純益12.2美元。美光表示，上季DRAM平均銷售單價季增約65％，NAND芯片平均銷售單價則季增約78％。

美光CEO梅羅塔指出，上季表現(xiàn)超乎預期，“營收、毛利率、每股純益及自由現(xiàn)金流全都創(chuàng)新高”。

更令市場驚艷的是，美光估本季營收將達335億美元，超越該公司2024會計年度以前的全年業(yè)績，毛利率展望達約81％，毛利率預估甚至比英偉達、臺積電都高。梅羅塔預期，本季營收、毛利率及自由現(xiàn)金流也將創(chuàng)紀錄，AI與傳統(tǒng)服務器正面臨“缺乏充足的DRAM和NAND芯片供應”。

美光透露，業(yè)績與展望之所以能大幅提升，主要是AI驅(qū)動存儲需求增長、結(jié)構(gòu)性供應限制，以及公司在各方面強大執(zhí)行力所共同促成的結(jié)果。該公司并透露，簽署了第一份長達五年的供貨合約協(xié)議。

數(shù)據(jù)中心用的HBM方面，美光指出，HBM4產(chǎn)品產(chǎn)能爬坡與量產(chǎn)出貨持續(xù)推進，預期將比HBM3E更快達到夠成熟的良率。為英偉達Vera Rubin平臺生產(chǎn)的HBM4將在今年6月至8月間量產(chǎn)，下一代HBM4E開發(fā)順利，估計明年開始量產(chǎn)。