英特爾CEO陳立武證實，公司已開始研發(fā)Intel 10A（1nm）和Intel 7A（0.7nm）制造技術，這些技術將在未來十年內取代英特爾當前的Intel 18A（1.8nm）和下一代Intel 14A（1.4nm）生產節(jié)點。Intel 10A和7A工藝預計都將能夠使用ASML High-NA EUV光刻設備，但這些先進設備將首先用于Intel 14A工藝。

陳立武表示：“我現在開始著手制定10A和7A的路線圖。人們不會僅僅來找你，他們想要的是未來的路線圖。因此，我們希望打造一個長期的業(yè)務。”

陳立武強調了一項由來已久的商業(yè)慣例：雄心勃勃且執(zhí)行得當的路線圖與具有競爭力的產品或制造技術同等重要。許多公司購買的不僅僅是產品，更是未來的路線圖，因為他們更傾向于與供應商建立長期的合作關系。因此，英特爾必須為合作伙伴提供長期的路線圖可視性，這就意味著它必須致力于研發(fā)那些距離商業(yè)化還有數年時間的技術。

關于英特爾的Intel 14A工藝，其開發(fā)工作正按計劃進行，工藝設計套件（PDK）0.5版本已經發(fā)布，PDK 0.9版本預計將于10月發(fā)布。

“正如我們在第一季度宣布的那樣，Intel 14A工藝已經發(fā)布PDK 0.5版本，這樣他們就可以進行測試芯片的制作，以檢驗我們的良率，并了解他們是否能夠最終與我們合作，共同設計并制造他們的產品。”陳立武說道。 “PDK 0.9版本才是我們的終極目標。目前，我們計劃在10月份將其交付給外部客戶。內部客戶會更早一些，這樣我們才能確保流程徹底清理干凈，確保一切順利，保證產品質量過硬。”

陳立武表示，多家客戶已對Intel 14A工藝表示出興趣，但英特爾尚未透露具體客戶信息。

“我們與多家客戶就14A工藝進行了接洽，需要明確具體的產品、代工廠選址以及所需的產能，”陳立武說道，“我不會透露客戶信息。如果客戶愿意公開，我們會予以配合。”

至于英特爾14A工藝的時間表，英特爾預計將在2028年進行風險試生產，然后在2029年實現量產，屆時臺積電也將開始在其A14工藝上量產芯片。

這里有三點值得關注。首先，臺積電A14并非英特爾14A的直接競爭對手，因為后者采用背面供電設計，更適合高端數據中心級處理器。其次，臺積電據稱將于2028年底開始使用A14制程生產芯片，并且該公司傾向于以極高的良率和產量啟動大規(guī)模量產（HVM）。相比之下，英特爾則在研發(fā)晶圓廠啟動量產，需要一段時間才能達到與之相當的良率和產量。第三，英特爾14A將是首批兼容High-NA EUV光刻系統（針對特定層）的制程節(jié)點之一，并將是首個能夠使用此類光刻機進行大規(guī)模量產的制程節(jié)點。

對于英特爾而言，整合全新的High-NA EUV設備——以及新的光刻膠、新的光掩模、新的薄膜、新的計量工具、新的設計規(guī)則、新的計算光刻流程等等諸多創(chuàng)新——并非易事。因此，英特爾正與ASML及其合作伙伴緊密合作，力求確保新的生態(tài)系統能夠順利投入使用。巧合的是，據報道，ASML表示，首批使用High-NA EUV光刻機制造的測試芯片將在未來幾個月內問世，但并未具體說明是由哪家供應商或哪家工廠生產的。（校對/趙月）