• 在HBM封裝內(nèi)集成冷卻元件（ICE），優(yōu)化高熱集中區(qū)域的散熱路徑

• 熱阻降低30%以上，確保產(chǎn)品在高溫、高負(fù)載環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行特性

• 采用經(jīng)市場充分驗(yàn)證的MR-MUF，以高度設(shè)計(jì)兼容性，降低客戶導(dǎo)入門檻

韓國首爾，2026年5月26日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）26日宣布，公司發(fā)布“iHBM”技術(shù)。該技術(shù)通過在HBM封裝內(nèi)集成一體化冷卻元件“ICE*”，顯著降低產(chǎn)品運(yùn)行時(shí)的發(fā)熱量。

* ICE（Integrated Cooling Elements）：利用絕緣、高導(dǎo)熱性的硅基材料，在HBM封裝內(nèi)部額外構(gòu)建散熱路徑的冷卻元件

伴隨AI算力需求持續(xù)激增，HBM不斷通過增加堆疊層數(shù)、提升運(yùn)行速度來實(shí)現(xiàn)性能的迭代升級，同時(shí)也帶來發(fā)熱量攀升的難題。因此，有效控制連接HBM與GPU的D2D PHY*區(qū)域的功率密度**，正成為下一代HBM技術(shù)競爭力的核心。

* D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer）：實(shí)現(xiàn)HBM基礎(chǔ)芯片與AI高速芯片之間超高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)奈锢砘ヂ?lián)通道

** 功率密度（Power Density）：指單位面積產(chǎn)生的熱量數(shù)值，是決定設(shè)備或系統(tǒng)的散熱效率與使用壽命的核心指標(biāo)

iHBM技術(shù)的特點(diǎn)在于從結(jié)構(gòu)層面根本性解決上述散熱難題。傳統(tǒng)HBM依賴熱量經(jīng)由核心芯片（Core Die）向外傳導(dǎo)的間接散熱方式。iHBM的核心在于，直接在熱量最為集中的D2D PHY區(qū)域內(nèi)嵌入熱控元件（ICE），構(gòu)建專用熱量排出通道（Heat Path）。相較傳統(tǒng)方案，熱阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同時(shí)確保產(chǎn)品在高溫、高負(fù)載環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行特性。

該技術(shù)在量產(chǎn)可行性方面也具備顯著優(yōu)勢。產(chǎn)品采用經(jīng)市場充分驗(yàn)證的先進(jìn)MR-MUF*晶圓級封裝（WLP**）工藝，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定規(guī)模化量產(chǎn)。此外，該技術(shù)與客戶現(xiàn)有系統(tǒng)級封裝（SiP***）環(huán)境具備高度設(shè)計(jì)兼容性，客戶無需進(jìn)行大規(guī)模設(shè)計(jì)改動(dòng)，即可直接部署，從而有效降低了實(shí)際導(dǎo)入門檻。

* 批量回流模制底部填充（MR-MUF, Mass Reflow-Molded Underfill）: 在堆疊半導(dǎo)體芯片后，為了保護(hù)芯片間的電路，在其中填充液體保護(hù)材料，使其固化的工藝

** 晶圓級封裝（WLP, Wafer-Level Package）：在切割晶圓前，一次性進(jìn)行封裝與測試晶圓的技術(shù)，可顯著減少芯片尺寸并提升電氣特性

*** 系統(tǒng)級封裝（SiP，System in Package）：將具有不同功能的多類芯片垂直或橫向集成于單一封裝體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)一體化協(xié)同運(yùn)作的封裝技術(shù)

SK海力士計(jì)劃將iHBM技術(shù)應(yīng)用于HBM5等下一代產(chǎn)品，以滿足高性能計(jì)算（HPC）、AI數(shù)據(jù)中心等超高度集成、高帶寬應(yīng)用場景的嚴(yán)苛散熱管控需求，進(jìn)一步提升整體系統(tǒng)的穩(wěn)定性與運(yùn)行效率。

SK海力士封裝開發(fā)擔(dān)當(dāng)李康旭副社長表示：“iHBM結(jié)合存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)與先進(jìn)封裝技術(shù)，是實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品最低發(fā)熱的最優(yōu)方案。公司前瞻布局，持續(xù)提供AI環(huán)境下客戶所需的核心價(jià)值，進(jìn)一步鞏固自身在面向AI的存儲(chǔ)器領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

關(guān)于SK海力士

SK海力士總部位于韓國，是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商，為全球客戶提供DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和NAND Flash（NAND快閃存儲(chǔ)器）等半導(dǎo)體產(chǎn)品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。

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