據(jù)韓媒The Elec最新報道，美光第六代高帶寬內(nèi)存（HBM4）的產(chǎn)能擴充正在順利推進，量產(chǎn)爬坡速度創(chuàng)下公司歷史新高。與此同時，美光正式披露了下一代HBM4E產(chǎn)品的戰(zhàn)略布局，宣布將調(diào)整生產(chǎn)策略，攜手晶圓代工龍頭臺積電（TSMC），計劃在2027年啟動大規(guī)模量產(chǎn)，全面加速在AI高端存儲市場的突圍。

在近日舉行的摩根大通投資者會議上，美光科技全球運營執(zhí)行副總裁馬尼什·巴蒂亞（Manish Bhatia）透露，目前美光HBM4的量產(chǎn)爬坡速度已達到去年12層HBM3E產(chǎn)品的約兩倍，且良率提升速度顯著加快。這一突破主要得益于三大核心因素：首先，美光在此前HBM3與HBM3E的量產(chǎn)中積累了深厚的經(jīng)驗與學習效應(yīng)；其次，HBM4核心裸片采用了美光成熟的10納米級第五代1-beta（1β）工藝，該工藝在性能和良率上已得到充分驗證；最后，美光內(nèi)部優(yōu)化的基礎(chǔ)裸片設(shè)計進一步提升了整體產(chǎn)品的質(zhì)量與穩(wěn)定性。

據(jù)悉，美光HBM4已實現(xiàn)36GB 12層堆疊產(chǎn)品的批量出貨，主要面向英偉達（NVIDIA）下一代Vera Rubin AI計算平臺。這一進展標志著美光已不再是單純的技術(shù)追隨者，而是成功躋身英偉達核心供應(yīng)鏈，成為其AI算力生態(tài)中的重要部分。

面對愈發(fā)激烈的行業(yè)競爭，美光在下一代HBM4E產(chǎn)品上做出了重大的戰(zhàn)略調(diào)整。據(jù)披露，HBM4E的核心裸片將升級為10納米級第六代1-gamma（1γ）工藝。這是美光首次在量產(chǎn)工藝中引入ASML的極紫外光刻（EUV）設(shè)備，旨在通過更先進的光刻技術(shù)突破物理極限，提升存儲密度與能效。

從HBM4E開始，美光將改變以往基礎(chǔ)裸片（Base Die）自研自產(chǎn)的模式，轉(zhuǎn)而交由臺積電代工生產(chǎn)。這一決策意味著美光將深度綁定全球最先進的晶圓制造工藝，以彌補自身在先進邏輯制程上的短板。美光預計，HBM4E將于2027年正式量產(chǎn)，首批產(chǎn)品將采用JEDEC行業(yè)標準，同時也會針對核心客戶的特定需求開發(fā)定制版本，以提供更高的性能和差異化競爭優(yōu)勢。

目前，全球HBM市場正呈現(xiàn)出三星、SK海力士與美光“三足鼎立”的激烈格局。面對美光的強勢進攻，韓系雙雄也在加速推進HBM4E的研發(fā)進程。三星電子計劃在今年第二季度提供首批HBM4E樣品，其基礎(chǔ)裸片將由三星自家晶圓代工部門采用4納米工藝制造；SK海力士則計劃在下半年送樣，并于2027年開始量產(chǎn)，其基礎(chǔ)裸片同樣交由臺積電代工，且將采用更為激進的3納米工藝。

盡管在送樣節(jié)奏上稍顯落后，但美光通過與臺積電的深度合作，有望在良率控制和性能指標上迅速縮小與韓系大廠的差距。美光同時預計，到2026年年中，基于1γ工藝生產(chǎn)的DRAM以及第九代NAND閃存產(chǎn)品，將占公司總位元出貨量的一半以上，1γ工藝也將成為美光史上產(chǎn)量規(guī)模最大的單一DRAM工藝節(jié)點。