5月22日，美光科技正式官宣旗下弗吉尼亞州馬納薩斯工廠實現1α（1-alpha）DRAM工藝量產。

1α工藝指的是美光的第四代10納米級工藝節點技術。它比美光最新的第六代10納米級1γ工藝落后兩代，但仍然是美光目前在美國半導體制造工廠部署的最先進的工藝技術，同時也是當前全球DDR4產品領域的頂尖制程方案。

美光科技董事長、總裁兼首席執行官桑杰·梅赫羅特拉表示：“通過將先進的1α DRAM生產引入美國本土，我們正在加強對美國客戶和全球市場的國內供應。”

本次產能擴建項目總投資規模超20億美元，同時獲得美國芯片法案2.75億美元專項補貼支持。項目落地后，該生產基地的DDR4晶圓供貨規模將提升4倍，預計將于2026年底完成全面量產。

美光方面表示，1α工藝的引入預計將提高馬納薩斯工廠的單片比特輸出和成本競爭力。得益于此，該工廠的DDR4晶圓供應量預計將增長四倍。

該項目是美光公司在美國2000億美元投資計劃的一部分。除此之外，該公司還在紐約州和愛達荷州建設半導體工廠——紐約巨型晶圓廠的建設已于1月份啟動，初步場地準備工作進展順利，超出預期；位于愛達荷州的首座晶圓廠預計將于2027年中期投產，第二座工廠的場地準備工作也已啟動。

此次擴產屬于典型的逆周期戰略調整。此前美光曾規劃2026年初逐步關停DDR4、LPDDR4產能，集中資源轉向DDR5與高端HBM產品，與行業頭部廠商產能收縮節奏保持一致。但下游關鍵領域的剛性需求反轉了行業趨勢，汽車電子、國防軍工、工業自動化、高端醫療、通信設備等領域設備服役周期長達10-15年，硬件架構無法快速適配DDR5迭代，導致全球DDR4庫存從常規31周驟降至6-8周，斷供風險凸顯。

供需失衡推動了DDR4市場價值逆勢攀升。據預測，2026年車用DRAM合約價漲幅預計達70%-100%，同規格DDR4晶粒價格溢價超DDR5約40%，毛利率甚至一度反超部分高端HBM產品。

HBM4加速量產擴產，搶占AI存儲核心賽道

在夯實傳統市場基本盤的同時，美光HBM4量產與擴產進程也在持續提速中，成為其搶占AI算力存儲紅利的核心抓手。作為新一代高帶寬內存，HBM4采用10nm級第五代1β工藝制造，搭載2048位超寬接口，速率突破11Gbps，單顆產品帶寬可達2.8TB/s，性能相較HBM3E實現跨越式升級，完美適配下一代高端AI GPU與超級算力平臺需求。

產能落地節奏上，美光已在2026年第一季度實現定制化HBM4產品批量出貨，專為英偉達Vera Rubin架構打造的36GB 12H規格產品已進入穩定供貨階段。相較于前代HBM3，HBM4量產爬坡效率提升一倍，良率迭代速度顯著加快，2026年下半年將完成大規模量產落地，全年HBM產能已全部被頭部客戶鎖定，訂單處于全額售罄狀態。

美光科技全球運營副總裁Manish Bhatia在日前出席摩根大通投資會議時表示：“美光 HBM4 產能優化速度實際上比去年的HBM3 12 層產品快了一倍。”

為匹配爆發式市場需求，美光持續加碼資本開支，2026財年相關資本支出提升至200億美元，并同時啟動了長期戰略合作模式，簽署行業首批五年期HBM戰略供貨協議，鎖定長期穩定客戶資源。

據透露，美光下一代HBM4E產品研發進程順利，預計2027年啟動量產爬坡。該芯片計劃采用10nm級第六代1γ工藝制造。1γ工藝與三星電子和SK海力士的10nm級第六代1c工藝屬于同一代，這也是美光首次在該工藝中引入ASML的極紫外（EUV）光刻設備。值得注意的是，從HBM4E開始，美光將改變以往基礎裸片（Base Die）自研自產的模式，轉而交由臺積電代工生產，以彌補自身在先進邏輯制程上的短板。

美光同時預計，到2026年年中，基于1γ工藝生產的DRAM以及第九代NAND閃存產品，將占公司總位元出貨量的一半以上，1γ工藝也將成為美光史上產量規模最大的單一DRAM工藝節點。