高盛、摩根士丹利、Cantor Fitzgerald等多家機構近期發布的存儲行業研判報告顯示，當前全球DRAM內存、NAND閃存的供給緊張局面，或將貫穿2027年全年，直至2028年末新增產能全面達產滿產后方能逐步緩解。對存儲行業來說，這有望成為近年來持續時間最長、確定性最高的超級景氣周期。

AI產業的高速崛起，是本輪存儲產業長缺貨周期的核心誘因。目前，單臺AI訓練服務器對DRAM內存的搭載容量，是普通商用通用服務器的8-10倍，NAND閃存的搭載量也達到傳統服務器的3倍。2026年，大約66%的DRAM產能被優先供給了AI服務器賽道，傳統消費電子領域可分配的DRAM產能被壓縮至30%以內，行業需求重心完成根本性轉移。

供需兩端增速的嚴重錯配，進一步固化了行業緊缺格局。數據顯示，近兩年全球DRAM、NAND的年度需求增速分別高達45%、38%，但行業整體產能供給增速僅維持在16%-17%，導致行業供需缺口持續擴大。與此同時，微軟、谷歌、Meta、阿里云等海內外頭部云服務商，為保障算力業務穩定落地，紛紛簽訂3-5年的長期供貨合約，通過預付保證金的方式鎖定產能與供貨價格。這種大規模長協鎖貨導致現貨市場流通貨源大幅萎縮，進一步加劇了終端市場的供給緊張態勢。

高盛在報告中指出，2026-2028年，全球DRAM供需缺口依次為5.0%、5.9%和3.9%；NAND閃存2026年、2027年供需缺口分別為4.4%、4.6%，2028年小幅收窄至3.0%；HBM高帶寬內存緊缺程度最為突出，缺口分別為5.4%、6.0%和4.3%。整體來看，2027年很有可能將是本輪存儲行業供需矛盾最尖銳的年份。

相較于持續爆發的存儲需求，行業供給端受多重剛性壁壘約束，短期無法快速釋放增量產能，這也是本輪緊缺周期長期化的關鍵。一方面，三星、SK海力士、美光三大全球存儲龍頭，基于盈利考量調整產能結構，將80%的先進制程產能傾斜布局HBM、DDR5等高附加值產品，直接擠壓了通用DRAM、NAND的產能供給。另一方面，半導體產能建設至少需要2-3年周期，而EUV光刻機等核心核心生產設備的交付周期更是超過18個月，進一步加劇了行業短期擴產的可能性。

從新增產能落地節奏來看，2028年前行業將持續處于產能空窗期。以美光ID1新廠為代表的行業核心新增產線，最快僅能在2027年年中啟動投產，且半導體產線完成產能爬坡、實現穩定量產需要12-18個月，直至2028年才能完成全面滿產、實現規模化供貨。與此同時，行業庫存緩沖空間基本耗盡，全行業庫存水位處于歷史低位，完全無法對沖持續擴張的市場需求，行業緊缺格局不存在短期修復的條件。

持續的供需失衡，推動全球存儲價格開啟長達三年的持續性上漲行情。相關報告顯示，二級市場現貨價格已率先兌現上漲邏輯，2026年5月DRAM現貨價格季度環比漲幅達40%，預計同年8月季度將再度實現15%的環比上漲，漲價趨勢持續落地。預計進入2027年后，行業漲價節奏有所放緩，但整體依舊維持高增態勢，DRAM與NAND均價同比漲幅區間預計為25%至35%，HBM憑借剛需屬性延續強勢行情，同比漲幅可達44%至50%。

量價齊升的行業態勢，推動全球存儲市場規模持續擴容。據預測，2027年全球存儲產業總規模將達到1.21萬億美元，2028年進一步逼近1.4萬億美元。其中，HBM作為AI算力的核心剛需配套產品，市場規模有望從2026年的560億美元，攀升至2028年的1680億美元。受此影響，資本市場的估值邏輯也從行業傳統沿用的P/B市凈率估值模式，轉向科技成長賽道主流的P/E市盈率估值。基于此，Cantor Fitzgerald等機構給出了美光1500美元、閃迪2900美元的目標股價，高度看好行業長期盈利修復與增長空間。

總體而言，綜合各大投行量化數據與產業產能落地節奏，在2028年末新增產能全面釋放之前，全球DRAM、NAND行業將長期維持“需求高增、供給受限、庫存低位、價格上行”的結構性緊平衡格局。