據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)測(cè)算數(shù)據(jù)，2026 年第二季度通用 DRAM 合約價(jià)環(huán)比大漲 58%~63%，NAND 閃存合約價(jià)環(huán)比漲幅達(dá)到 70%~75%；產(chǎn)業(yè)鏈業(yè)內(nèi)人士透露，終端市場(chǎng)實(shí)際現(xiàn)貨成交漲幅，已明顯高于公開(kāi)合約報(bào)價(jià)，存儲(chǔ)現(xiàn)貨緊缺程度進(jìn)一步加劇。

投行杰富瑞（Jefferies）發(fā)布最新行業(yè)研報(bào)，上調(diào)存儲(chǔ)芯片全年漲價(jià)預(yù)期，判斷本輪漲價(jià)周期尚未結(jié)束。機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2026 年三季度存儲(chǔ)整體均價(jià)環(huán)比漲幅或沖高至 40%~50%，四季度將延續(xù)上漲態(tài)勢(shì)，環(huán)比再漲 30%~40%；拉長(zhǎng)周期維度，2027 年存儲(chǔ)芯片全年均價(jià)相較 2026 年整體將抬升 40%~45%，長(zhǎng)期上行趨勢(shì)確立。

上述判斷獲得多家機(jī)構(gòu)佐證，Aletheia Capital 在 6 月初出具的報(bào)告給出同向預(yù)判，其測(cè)算 DRAM 均價(jià)三季度環(huán)比攀升 30%，四季度將續(xù)漲 10%~15%，供需偏緊格局貫穿全年。

本輪存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)走高核心源于 AI 算力帶來(lái)的需求結(jié)構(gòu)性爆發(fā)，疊加海外存儲(chǔ)原廠產(chǎn)能持續(xù)向高毛利 HBM 傾斜，通用 DRAM、NAND 供給持續(xù)收縮，行業(yè)庫(kù)存維持歷史低位，原廠掌握強(qiáng)定價(jià)權(quán)。全產(chǎn)業(yè)鏈漲價(jià)壓力同步傳導(dǎo)至下游服務(wù)器、PC、消費(fèi)電子廠商，云廠商、整機(jī)廠紛紛通過(guò)長(zhǎng)協(xié)鎖價(jià)鎖定產(chǎn)能，進(jìn)一步強(qiáng)化賣方市場(chǎng)格局。