- 韓國(guó)本土產(chǎn)4英寸GaAs工藝良率突破95%
- 三星2nm工藝良率突破60%，逼近臺(tái)積電
- 傳三星電子2nm良率已提升至50%，計(jì)劃2027年前實(shí)現(xiàn)晶圓代工業(yè)務(wù)盈利
- 三星2nm良率突破50%，計(jì)劃2027年實(shí)現(xiàn)代工業(yè)務(wù)盈利
- 英特爾Fab 52滿載月產(chǎn)能達(dá)4萬(wàn)片晶圓，2027年良率達(dá)先進(jìn)水平
- 三星4nm制程良率提升至60%~70%，獲美國(guó)AI公司超1億美元芯片訂單
- 英特爾18A良率顯著提升，先進(jìn)封裝受益CoWoS“溢出效應(yīng)”
- 消息稱三星2nm Exynos 2600芯片良率達(dá)60%
- 2納米反攻戰(zhàn)！三星放話：今年要奪回代工王座 良率沖近七成
- 三星電子考慮解散1c DRAM良率專項(xiàng)小組 拼年內(nèi)量產(chǎn)HBM4
