三星電子晶圓代工業務部門已設定目標，計劃在2030年前推出1nm工藝。1nm技術被譽為“夢想半導體”工藝，它采用一種全新的方法排列計算單元，每個計算單元的大小相當于五個原子。此舉旨在與臺積電展開全面技術競爭，并鞏固其在下一代半導體市場的領先地位。三星電子還決定在其現有的尖端2nm技術基礎上開發各種工藝，以贏得重要客戶。

據業內人士透露，三星電子晶圓代工業務部門已制定計劃，力爭在2030年前完成1nm半導體工藝的研發，并將其投入量產。1nm技術被視為一項“夢想創新工藝”，這意味著半導體芯片中負責數據處理的元件寬度理論上可以縮小到1nm。

除了元件小型化之外，1nm工藝還將引入“fork sheet”（叉片）新結構。在2nm工藝之前，元件采用環柵（GAA）技術制造。這項技術通過將電流路徑從傳統的三邊擴展到四邊，最大限度地提高了功率效率。

“fork sheet”技術旨在最大限度地縮短GAA元件之間的距離。它通過在GAA元件之間構建電絕緣壁，就像插入叉子一樣。這意味著可以在相同的芯片面積內放置更多元件。

三星電子的晶圓代工業務在全球市場排名第二，與市場份額接近70%的臺積電相比，差距甚大。眾所周知，目前占據市場主導地位的臺積電也計劃在2030年后將“fork sheet”技術引入1nm工藝。業界認為，三星電子通過制定2030年前實現1nm工藝的路線圖，已做好與臺積電展開同等技術競爭的準備。

自2019年發布“2030年成為系統半導體第一”愿景以來，三星電子一直致力于在先進工藝方面追趕臺積電。2019年，三星電子率先在全球推出7nm極紫外（EUV）光刻工藝；2022年，又率先在全球3nm工藝中采用GAA元件。

業內人士表示：“雖然三星電子在銷售額或產量方面超越臺積電并非易事，但它在技術方面持續保持競爭力。”他補充道：“2025年三星與特斯拉簽訂的價值165億美元（約合25萬億韓元）的2nm人工智能（AI）芯片供應合同，正是其技術實力取得卓越成就的絕佳例證。”

三星電子的晶圓代工業務部門目前正在對其先進的2nm技術進行多項改進。該公司正在開發“SF2T”定制工藝，用于特斯拉2nm AI6芯片的量產。這款芯片將于2027年起在三星泰勒新晶圓代工廠投產。

三星還在加速開發新的2nm工藝，例如“SF2P”工藝，該工藝將從今年開始用于三星電子系統LSI事業部生產新型智能手機應用處理器（AP）；以及“SF2P+”工藝，該工藝將于明年投入運營。半導體行業人士表示：“由于2nm工藝的良率已超過60%，生產效率不斷提高，人們對今年實現盈利的預期也越來越高。”（校對/趙月）