近日，據《科技日報》報道，美國佐治亞理工學院電氣與計算機工程學院Asif Khan團隊宣布，成功研制出基于氧化鉿鐵電材料的新型NAND閃存。該產品兼具AI高效處理與太空極端輻射耐受能力，抗輻射性能達傳統NAND閃存的30倍，相關成果已于5月18日發表于美國化學會《納米快報》（Nano Letters）雜志。

傳統NAND閃存依賴電荷捕獲存儲數據，太空環境中的高能粒子輻射易導致電荷流失，引發數據損壞，通常在3萬拉德輻射劑量下即失效，難以滿足深空探測與太空AI任務需求。此次研發的新型鐵電NAND閃存，核心突破在于采用與硅工藝完全兼容的氧化鉿（HZO）鐵電材料，利用其自發極化及電場可控翻轉特性存儲數據，從底層原理上規避了電荷輻射敏感問題。

測試數據顯示，這款鐵電NAND閃存可承受**100萬拉德**的輻射吸收劑量，相當于1億次醫用X射線照射，是傳統存儲器輻射耐受性的30倍。該指標已覆蓋近地軌道、月球探測及木星以遠深空任務的輻射環境要求，可支撐NASA歐羅巴快船等深空探測項目的長期穩定運行。同時，其鐵電存儲機制具備低功耗、高讀寫速度優勢，可高效適配AI推理與數據處理需求，為太空邊緣計算提供存儲支撐。

項目負責人Asif Khan表示，鐵電NAND閃存的核心價值在于“存儲+抗輻射+AI適配”三重能力集成。不同于傳統輻射加固方案的高成本與性能損耗，該技術基于現有硅工藝線即可量產，兼具成本與規模化優勢。憑借氧化鉿鐵電層與硅基底的兼容性，未來可實現3D堆疊，支撐更高容量存儲需求，適配衛星星上處理、深空探測器、太空AI服務器等場景。