為進一步鞏固功率半導體市場競爭優(yōu)勢，昨日，英飛凌（Infineon）宣布將大幅提升寬能隙（碳化硅和氮化鎵）半導體的產能，欲斥資逾20 億歐元，在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區(qū)。建成之后，新廠區(qū)將用于生產碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體產品，每年可為英飛凌創(chuàng)造20 億歐元收入。

英飛凌營運長Jochen Hanebeck 表示，再生能源和電動汽車是推動功率半導體市場持續(xù)強勁增長的主要驅動力，英飛凌透過擴大碳化硅和氮化鎵功率半導體的產能，為迎接寬能隙半導體市場的快速發(fā)展做好準備。

此次擴建是英飛凌根據長期戰(zhàn)略而做出的決策，居林工廠的投資擴產將進一步強化公司整體的競爭優(yōu)勢。目前英飛凌已向3,000 多個客戶提供基于碳化硅的半導體產品，這些產品被廣泛應用于各個領域，為客戶創(chuàng)造了更高的價值。

英飛凌表示，目標至本世紀20 年代中期，碳化硅功率半導體的銷售額將提升至10 億美元；同時，氮化鎵市場預計也將迎來激增。根據市調機構研究，氮化鎵將從2020 年的4,700 萬美元增至2025 年的8.01 億美元，年復合成長率為76%。

英飛凌進一步表示，居林新廠區(qū)滿負荷運轉之后，將創(chuàng)造900 個高價值型就業(yè)機會。新廠區(qū)將于今年6 月開始施工，在2024 年夏季進行設備安裝。首批晶圓將于2024 年下半年開始出貨，對居林工廠的新增投資主要用于磊晶制程和晶圓切割等具有高附加值的環(huán)節(jié)。

至于奧地利菲拉赫工廠，英飛凌指出，在未來幾年將透過改造現(xiàn)有的硅晶圓制造設備，進一步強化其做為寬能隙半導體技術全球能力中心和創(chuàng)新基地的角色。透過重新利用非專用的硅晶圓生產設備，將6 吋和8 吋的硅晶圓生產線轉做為碳化硅和氮化鎵元件的生產線；菲拉赫工廠目前正為迎接進一步的成長做準備。