• 在HBM封裝內集成冷卻元件（ICE），優化高熱集中區域的散熱路徑

• 熱阻降低30%以上，確保產品在高溫、高負載環境下的穩定運行特性

• 采用經市場充分驗證的MR-MUF，以高度設計兼容性，降低客戶導入門檻

韓國首爾，2026年5月26日——SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）26日宣布，公司發布“iHBM”技術。該技術通過在HBM封裝內集成一體化冷卻元件“ICE*”，顯著降低產品運行時的發熱量。

* ICE（Integrated Cooling Elements）：利用絕緣、高導熱性的硅基材料，在HBM封裝內部額外構建散熱路徑的冷卻元件

伴隨AI算力需求持續激增，HBM不斷通過增加堆疊層數、提升運行速度來實現性能的迭代升級，同時也帶來發熱量攀升的難題。因此，有效控制連接HBM與GPU的D2D PHY*區域的功率密度**，正成為下一代HBM技術競爭力的核心。

* D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer）：實現HBM基礎芯片與AI高速芯片之間超高速數據傳輸的物理互聯通道

** 功率密度（Power Density）：指單位面積產生的熱量數值，是決定設備或系統的散熱效率與使用壽命的核心指標

iHBM技術的特點在于從結構層面根本性解決上述散熱難題。傳統HBM依賴熱量經由核心芯片（Core Die）向外傳導的間接散熱方式。iHBM的核心在于，直接在熱量最為集中的D2D PHY區域內嵌入熱控元件（ICE），構建專用熱量排出通道（Heat Path）。相較傳統方案，熱阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同時確保產品在高溫、高負載環境下的穩定運行特性。

該技術在量產可行性方面也具備顯著優勢。產品采用經市場充分驗證的先進MR-MUF*晶圓級封裝（WLP**）工藝，可實現穩定規?；慨a。此外，該技術與客戶現有系統級封裝（SiP***）環境具備高度設計兼容性，客戶無需進行大規模設計改動，即可直接部署，從而有效降低了實際導入門檻。

* 批量回流模制底部填充（MR-MUF, Mass Reflow-Molded Underfill）: 在堆疊半導體芯片后，為了保護芯片間的電路，在其中填充液體保護材料，使其固化的工藝

** 晶圓級封裝（WLP, Wafer-Level Package）：在切割晶圓前，一次性進行封裝與測試晶圓的技術，可顯著減少芯片尺寸并提升電氣特性

*** 系統級封裝（SiP，System in Package）：將具有不同功能的多類芯片垂直或橫向集成于單一封裝體內，實現一體化協同運作的封裝技術

SK海力士計劃將iHBM技術應用于HBM5等下一代產品，以滿足高性能計算（HPC）、AI數據中心等超高度集成、高帶寬應用場景的嚴苛散熱管控需求，進一步提升整體系統的穩定性與運行效率。

SK海力士封裝開發擔當李康旭副社長表示：“iHBM結合存儲器設計與先進封裝技術，是實現產品最低發熱的最優方案。公司前瞻布局，持續提供AI環境下客戶所需的核心價值，進一步鞏固自身在面向AI的存儲器領域的領導地位。”

關于SK海力士

SK海力士總部位于韓國，是一家全球領先的半導體供應商，為全球客戶提供DRAM（動態隨機存取存儲器）和NAND Flash（NAND快閃存儲器）等半導體產品。公司于韓國證券交易所上市，其全球托存股份于盧森堡證券交易所上市。

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