最近，微電子所的EDA中心針對后摩爾時代的器件-電路協同設計需求，集中精力研究界面量子輸運、邏輯單元互連以及非傅立葉傳熱建模等問題，在二維存儲器和先進邏輯器件TCAD仿真領域取得了一系列進展。這些成果已經發表在IEEE Electron Device Letters和IEEE Transactions on Electron Devices上。

二維材料閃存技術旨在實現高速、低功耗的非易失性存儲，但其亞納秒編程機制尚未完全明確。微電子所與復旦大學合作，建立了一個含時量子輸運模擬框架，成功復現了亞納秒編程特性，并揭示了熱載流子的聚集、隧穿和轉移過程，為界面與勢壘優化提供了理論依據。相關成果以“從初態量子輸運模擬高速2D閃存”為題發表在IEEE Electron Device Letters上；微電子所的博士研究生賈云天是該論文的第一作者，微電子所的徐勤志研究員、李志強研究員和復旦大學的陸葉教授是論文的共同通訊作者。

CFET技術通過垂直堆疊提高邏輯密度，但底部器件引出和信號互連會帶來額外的面積和寄生開銷。微電子所提出了一種新型混合溝道互連集成架構方案和協同優化流程，為源漏通孔和信號互連預留了空間，實現了上下器件漏端的直接接觸，減少了繞線和單元面積。這項成果以“新型混合溝道互補FET（HC-CFET）及互連方案的仿真設計”為題發表在IEEE Transactions on Electron Devices上；微電子所的博士研究生何浩是論文的第一作者，微電子所的徐勤志研究員和浙江大學的吳振華教授是論文的共同通訊作者。

隨著器件微縮和三維堆疊技術的發展，自熱問題變得更加突出，傳統的傅立葉模型難以準確描述納米尺度的瞬態熱輸運。微電子所建立了非傅立葉瞬態熱模型，揭示了傅立葉模型的局限性，并提出了通過調控金屬連接結構來降低熱點溫度的方法。這項成果以“先進納米晶體管的瞬態熱模型：CFET案例研究”為題發表在IEEE Transactions on Electron Devices上；微電子所的博士研究生安昆龍是論文的第一作者，微電子所的徐勤志研究員和李志強研究員是論文的共同通訊作者。

上述研究得到了中國科學院戰略性先導科技專項（A類）、國家重點研發計劃、國家自然科學基金、國家科技重大專項和中國科學院青年交叉團隊等項目的支持。